Teicneolaíocht Déantúsaíochta Silicon Carbide
Cruth: Cnapshuim/Cruth Púdar
Púdar Sileacain Carbide Do Teasfhulangacha
Cur síos
Cur síos
Is ábhar coitianta é cairbíd sileacain (SiC) i saol na leictreonaice mar gheall ar a airíonna ceimiceacha agus fisiceacha níos fearr. Úsáidtear é i ndéantúsaíocht comhpháirteanna leictreonacha mar MOSFETanna, dé-óid, agus modúil chumhachta.
Is próiseas casta é déantúsaíocht SiC a éilíonn saineolas agus trealamh sonrach. Is é an modh is coitianta a úsáidtear le haghaidh táirgeadh SiC ná próiseas Acheson, a bhaineann le meascán de chóc agus gaineamh a théamh i bhfoirnéis atá frithsheasmhach le leictreach. Cruthaítear criostail SiC mar thoradh ar an imoibriú a bhrúitear agus a shórtáil ansin bunaithe ar a méid agus a gcáilíocht.
Modh eile a úsáidtear do mhonarú SiC is ea an próiseas sil-leagan ceimiceach gaile (CVD). Baineann an modh seo leis an imoibriú idir gáis imoibríocha amhail silane (SiH4) agus meatán (CH4) i bhfolússheomra. Táirgeann an t-imoibriú ciseal SiC ar fhoshraith ar nós sliseog sileacain.
Sonraíocht
| Mionsamhail | Comhpháirt faoin gcéad | |||
| 60# | SiCName | F.C | Fe2O3 | |
| 65# | 60 nóiméad | 15-20 | 8-12 | 3.5 uas |
| 70# | 65 nóiméad | 15-20 | 8-12 | 3.5 uas |
| 75# | 70 nóiméad | 15-20 | 8-12 | 3.5 uas |
| 80# | 75 nóiméad | 15-20 | 8-12 | 3.5 uas |
| 85# | 80 nóiméad | 3-6 | 3.5 uas | |
| 90# | 85 nóiméad | 2.5 uas | 3.5 uas | |
| 95# | 90 nóiméad | 1.0uas | 1.2 uas | |
| 97# | 95 nóiméad | 0.6 uas | 1.2 uas | |
Le blianta beaga anuas, tá teicneolaíocht déantúsaíochta SiC tar éis dul chun cinn le tabhairt isteach modhanna fáis criostail SiC nua, mar shampla próisis PVT (iompar gaile fisiceach) agus HTCVD (taiscí gaile ceimiceach balla te). Cuireann na próisis seo ar chumas criostail SiC níos mó agus níos comhionann a tháirgeadh le níos lú lochtanna i gcomparáid le próiseas Acheson.
Leanann an tionscal déantúsaíochta SiC ag fás mar gheall ar an éileamh atá ag méadú ar fheistí leictreonaic a éilíonn feidhmíocht ardchumhachta, teocht ard, agus ard-minicíochta. Is féidir le húsáid comhpháirteanna SiC aghaidh a thabhairt ar na héilimh seo trí chaillteanais chumhachta a laghdú, éifeachtúlacht a mhéadú, agus méid agus meáchan a laghdú.
Mar fhocal scoir, tá teicneolaíocht déantúsaíochta SiC ina chomhpháirt ríthábhachtach den tionscal leictreonaic. Le dul chun cinn i modhanna fáis criostail SiC, is féidir linn a bheith ag súil go leanfaidh táirgeadh comhpháirteanna SiC ag fás sna blianta amach romhainn. Mar thoradh air seo beidh feistí leictreonaic níos éifeachtaí atá níos oiriúnaí do thimpeallachtaí ardchumhachta agus ardteochta.
CC
C: Conas a rialaíonn tú cáilíocht na dtáirgí?
A: Tá ár saotharlann féin againn le gléas tástála chun cinn. Déanfar iniúchadh dian ar na táirgí roimh an loingsiú, chun a chinntiú go bhfuil na hearraí cáilithe.
C: An bhfuil tú ag monarú méideanna speisialta?
A: Is féidir, is féidir linn páirteanna a dhéanamh de réir do riachtanas.
C: An bhfuil aon stoc agat agus cad é an t-am seachadta?
A: Tá stoc fadtéarmach de láthair chun freastal ar chustaiméirí requirements.We féidir long na n-earraí i 7 lá agus is féidir táirgí saincheaptha a seoladh i 15 lá.
C: Cad é an MOQ d'ordú trialach?
A: Gan teorainn, Is féidir linn na moltaí agus na réitigh is fearr a thairiscint de réir do riocht.
Clibeanna Te: teicneolaíocht déantúsaíochta chomhdhúile sileacain
Glaoigh Linn
B’fhéidir gur mhaith leat freisin